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v MOCVD设备是通过将反应物质以有机金属化合物气体分子的形式，经载带气体送到反应室，进行热分解反应而生长出薄膜材料

v 应用方向：Ga2O3,GaN, InP, GaAs, InSb, GaInNAs, II-VI等等

v 从研发到大规模生产

v 衬底尺寸：3x2 inch、1x4 inch、1x3 inch、1x2 inch

通过载波交换实现：6 x 2 inch、3 x 3 inch、1 x 6 inch

v Ga2O3薄膜生长速率：>3um/h

v Ga2O3薄膜表面粗糙度：5umx5um范围由AFM在Ga2O3衬底上测量 ≤1.0 nm

v 加热系统：采用钨丝加热，三温区控制，最高温度至1400℃

v 反应腔室内托盘与喷淋头间距可调（范围覆盖5 mm至25 mm）

v 工艺过程中，具有实时晶圆表面温度和晶圆翘曲度监测功能

v 搭载温度监测系统，可实时扫描晶圆温度mapping图