详情介绍

v 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆，快速更换到不同尺寸的晶圆工艺

v 电极的适用温度范围宽，-150°C至400°C

v ICP源尺寸为65mm，180mm，300mm

v 应用方向：

Ø III-V族材料的刻蚀工艺

Ø 固体激光器InP刻蚀

Ø VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀

Ø 射频器件低损伤GaN刻蚀

Ø 硅 Bosch和超低温刻蚀工艺

Ø 类金刚石（DLC）沉积

Ø 二氧化硅和石英刻蚀

Ø 用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺，可处理封装好的芯片、 裸晶片以及200mm晶圆

Ø 沉积高质量的PECVD氮化硅和二氧化硅薄膜，用于光子学、电介质层、钝化等诸多其它用途

Ø 用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀