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v 产品概述：系统主要由真空室、旋转靶台、基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成

v 设备用途：是一种利用激光高能量脉冲辐射冲击固体靶时，激光与物质之间的所有物理相互作用，亦包括等离子羽状物的形成，其后已熔化的物质通过等离子羽状物到达已加热的基片表面的转移，及最后物质沉淀在不同的衬底上，得到沉淀或者薄膜的一种手段。PLD非常适合生长多元氧化物的多层膜和异质膜，轻松实现对化学成分较复杂的复合物材料进行材料生长。在生长过程中还可以实现引入活性或惰性及混合气等工艺气体，以提高薄膜生长品质

v 基片尺寸：8inch（可向下兼容）

v 加热温度：1000℃    加热方式：辐射加热

v 靶材：3*4”

v 真空度：5*10-7Pa

v 气路系统：氧气、氮气、氩气

v 模块：PLD+进样室

v 激光窗口：配有闸板阀

v 光路系统：激光扫描功能