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器件类型:二极管
掺杂类型:p型(硼)
脉冲激光沉积镀膜机PLD
电感耦合等离子体刻蚀ICP
槽式湿法刻蚀清洗设备
详情介绍
v 光源:375 nm、385 nm、405 nm 激光器
v 线宽:0.5μm、0.6μm、1.0μm、1.5μm
v 光刻效率:最快3000mm2/min@5μm
v XY行程:55~205mm
v 样品尺寸:最小3mm*3mm 最大8 inch
v 应用领域:生物芯片、功率芯片光刻、掩膜版制造、3D衍射光学元件、先进芯片封装、光通讯芯片光刻
型号: 化学气相沉积MOCVD
型号: 反应性离子刻蚀系统RIE
型号: 电感耦合等离子体刻蚀ICP
型号: 等离子增强化学气相沉积PECVD
深圳市矢量科学仪器有限公司
91440300MA5G1QDA16
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