具备三维翘曲（平整度）及薄膜应力的检测功能，适用于半导体晶圆生产、半导体制程工艺开发、玻璃及陶瓷晶圆生产，尤其具有测量整面翘曲曲率分布的能力。

优势

1. 全口径均匀采样测量，采样间隔最少可至0.1mm

2. 同时具备翘曲测量及应力测量功能

3. 直观展现薄膜导致的晶圆形变，可计算整面应力mapping和任意角度的曲率及应力

4. 强大的附加模块：薄膜应力变温测量模块（室温到500℃）

5. 丰富的软件分析功能，包括：三维翘曲图、晶圆翘曲参数统计（BOW，WARP等）、ROI分析、薄膜应力及分布、应力随时间变化、薄膜应力变温测量、曲率计算、多项式拟合、空间滤波等多种后处理算法。

适用对象

2 - 8 英寸/12 英寸抛光晶圆（硅、砷化镓、碳化硅等）、图形化晶圆、键合晶圆、封装晶圆等；液晶基板玻璃；各类薄膜工艺处理的表面

适用领域

✔️ 半导体及玻璃晶圆的生产和质量检查

✔️ 半导体薄膜工艺的研究与开发

✔️ 半导体制程和封装减薄工艺的过程控制和故障分析

测量原理

1. 晶圆制程中会在晶圆表面反复沉积薄膜，基板与薄膜材料特性的差异导致晶圆翘曲，翘曲和薄膜应力会对工艺良率产生重要影响

2. 采用结构光反射成像方法测量晶圆的三维翘曲分布，通过翘曲曲率半径测量来推算薄膜应力分布，具有非接触、免机械扫描和高采样率特点，6英寸晶圆全口径测量时间低于30s

3. 通过Stoney公式及相关模型计算晶圆应力分布

Stress Mapper技术规格