全自动晶圆内应力检测仪 SVi 产品中心

产品介绍

优势

✔ 基于双折射应力测量模型实现应力定量测量，输出二维应力和应力方向

✔ 采用双远心检测光路，内应力测量精度高

✔ 自动微管缺陷扫描和计数，可以进行显微测量

✔ 适应非标尺寸晶圆的样品托盘，适应不同规格晶圆批量测试

✔ 配备150-225mm open_cassette晶圆自动传输系统

适用对象

150-225mm三代化合物晶圆、石英晶圆、蓝宝石晶圆等

适用领域

面向化合物晶圆籽晶筛选、长晶质量管控，晶圆加工工艺管控、晶圆成品质量管控等晶圆生产过程

测量原理

本系统基于偏振光应力双折射效应检测晶圆材料内部的残余应力分布。

当晶体材料由于长晶环境温度梯度和晶体内部缺陷导致产生晶体内应力时，晶体会呈现出应力双折射效应，偏振光透过它时会发生偏振态调制，通过测量透射光的斯托克斯矢量可以推算出材料的应力延迟量，从而测量出材料内应力分布。

获取晶圆内应力高分辨率图像，基于自动识别深度学习模型可以开展晶圆内部缺陷自动识别和计数。

实测案例

内应力分布

全口径应力图及过圆心的水平截面线和垂直截面线的应力分布图

支持根据需求使用不同的颜色条来显示应力分布

查看全口径、内缩口径、截面线等区域的光程差、应力值等

微管扫描识别Mapping

微管缺陷的Mapping图

与拼接图叠加后的融合图，可计算微管的数量和密度

SV200-i 技术规格

1. 内应力测量指标参数

序号	项目	参数
1	样品测量口径	150 - 225mm
2	应力测量输出内容	相位延迟（°）、光学延迟（nm）、归一化延迟（nm/mm）、综合应力（MPa）及方位角
3	应力图像横向分辨率	25μm
4	应力测量范围	0 - 150nm光学延迟
5	主应力方位角测量范围	0 - 180°
6	测量准确性	±1nm光学延迟，±1.5°方位角
7	应力图像解析度	1600万像素（@6英寸晶圆）
8	自动测量效率	60WPH（@6英寸晶圆）

2. 微管扫描识别指标参数

序号	项目	参数
1	样品测量口径	150 - 225mm
2	应力测量输出内容	相位延迟（°）、光学延迟（nm）、归一化延迟（nm/mm）、综合应力（MPa）及方位角
3	应力图像横向分辨率	25μm
4	应力测量范围	0 - 150nm光学延迟

3. EFEM传输系统指标参数

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