三磨所生产的划片刀刀刃超薄且有超高强度，刀刃厚度*薄规格10-15微米，*厚超过100微米，满足各种街区宽度、晶粒大小的尺寸要求，可以实现对超薄硅晶圆、小晶粒硅晶圆的高品质切割，避免背面崩角或裂片的现象，有效解决背崩难题。

主要用于半导体制造封测阶段晶圆的划切，以实现单颗芯片之间相互分离。适用于半导体硅晶圆、化合物半导体晶圆（GaAs、GaP等）、氧化物半导体晶圆（LiTaO3 等）等，以及氧化铝陶瓷、EMC（热固性树脂）、PCB（印刷电路板）等各种半导体封装基板。

采用电铸镍基结合剂工艺，划片刀刀刃具有超高强度，刀刃超薄，满足半导体晶圆窄街区的划切需求。
近年来针对制造红黄光LED芯片的砷化镓晶圆，新开发了专属刀片，*小可切割晶粒尺寸达75x75微米，实现了极高的加工质量，*长切割寿命达2800米，一片刀可划切超过1000万颗发光芯片。