超高导热金刚石具有机械强度高、绝缘性好、介电常数低和重量轻等特点，室温热导率高达铜的5倍以上，可以使半导体器件在更小的空间内获得更高的功率密度和提高可靠性，是高热流密度器件散热的**热管理材料。可应用于射频放大器、微波放大器等高功率射频器件，高功率激光管二极管、激光管二极管阵列、高功率晶体管等高功率器件，以及GaN、GaA、SiC等化合物半导体器件。
三磨所生产的超高导热金刚石具有机械强度高、绝缘性好、介电常数低和重量轻等特点，室温热导率高达铜的5倍以上，可以使半导体器件在更小的空间内获得更高的功率密度和提高可靠性，是高热流密度器件散热的**热管理材料。
尺寸1-4英寸（尺寸、形状可根据客户需求定制）
室温热导率1200-2000W/m·K
生长方法 | MPCVD |
尺寸 | 1-4英寸；可定制 |
厚度 | 0.3-1.0mm，可定制 |
热导率 | 1200-2000W/mK@300K；可定制 |
热膨胀系数 | 1×10-6/K@300K |
比热容 | 0.502J/gK@300K |
密度 | 3.52（×103Kg·m-3） |
维氏硬度 | 80-100GPa |
杨氏模量 | 1050GPa |
厚度公差 | ±0.05 mm |
厚度变化 | TTV< 30μm |
弯曲度 | Bow< 50μm@4inch；Bow< 30μm@2inch |
翘曲度 | Warp< 100μm@4inch；Warp< 50μm@2inch |
粗糙度-形核面 | Ra < 10nm |
粗糙度-生长面 | Ra < 30nm |
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