应用：
多壁CNT（碳纳米管）、垂直生长CNT、水平生长CNT、单壁CNT、
金刚石薄膜、纳米金刚石薄膜、类金刚石薄膜（DLC）、
SiC、其他超硬薄膜。

参数：
基本真空：2×10-3Torr (纳米尺度材料可选更高)
微波源： 2.45GHz 2kW
加热温度：900℃
掺杂： MFC控制三路气源（可增加至6路气源）
关键参数：气体种类、流速、微波功率、基底位置、加热温度等

特点：
等离子体对表面没有伤害；
更高的等离子体活性；
更长的等离子体寿命；
不受电极污染；
结构紧凑，操作方便；
多种参数控制可以方便的满足沉积不同种类的材料的研究工作。